| 发明名称 | 用于薄层太阳能电池的附加的底层 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种用于薄层太阳能电池的附加的底层。本发明的主题是一种用于制造CdTe薄层太阳能电池或者用于它的半成品的改进的方法，以及根据所述方法的薄层太阳能电池。所述方法设置：施布附加的增附层，该增附层在前接触层后施加到该前接触层上，以便改进随后的CdS层的生长。作为用于增附层的特别优选的材料，优选以单层来设置CdTe。 | ||
| 申请公布号 | CN104425653A | 申请公布日期 | 2015.03.18 |
| 申请号 | CN201310537497.6 | 申请日期 | 2013.08.30 |
| 申请人 | 中国建材国际工程集团有限公司;CTF太阳能有限公司 | 发明人 | 巴斯蒂安·希普欣;彭寿 |
| 分类号 | H01L31/18(2006.01)I;H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/073(2012.01)I | 主分类号 | H01L31/18(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 杨靖;车文 |
| 主权项 | 一种用于制造薄层太阳能电池的半成品的方法，其特征在于下述步骤：a.提供具有前接触层或者前接触层序列的透明的衬底，b.将增附层施加到所述前接触层或者前接触层序列上，c.将由纯的或者经改性的CdS组成的层施加到所述增附层上。 | ||
| 地址 | 200063 上海市普陀区中山北路2000号中期大厦27层 | ||