| 发明名称 | 互补金属氧化物半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种互补金属氧化物半导体器件及其制造方法。在互补金属氧化物半导体器件中，缓冲层处于硅衬底上，包含第Ⅲ-Ⅴ主族材料的第一层处于缓冲层上。包含第Ⅳ主族材料的第二层处于缓冲层或硅衬底上，且第二层与第一层间隔开。 | ||
| 申请公布号 | CN104425492A | 申请公布日期 | 2015.03.18 |
| 申请号 | CN201410442976.4 | 申请日期 | 2014.09.02 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 梁炆承;穆罕默德·拉基布·乌丁;李明宰;李商文;李成训;赵成豪 |
| 分类号 | H01L27/06(2006.01)I;H01L21/8249(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人 | 陈源;张帆 |
| 主权项 | 一种制造互补金属氧化物半导体器件的方法，所述方法包括步骤：在硅衬底上形成缓冲层；在所述缓冲层上形成n型晶体管的材料层；对所述n型晶体管的所述材料层进行刻蚀以形成n型晶体管的第一层和第一图案；在所述第一层和第一图案上形成绝缘层；对所述绝缘层进行刻蚀以形成用于选择性生长的第二图案；以及在所述第二图案中选择性地生长p型晶体管的第二层。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||