| 发明名称 | 对无铅焊料合金进行掺杂以及由此形成的结构 | ||
| 摘要 | 本发明描述了形成微电子结构的方法。这些方法包括用镍对无铅焊接材料进行掺杂，其中镍构成焊接材料的最大为大约0.2重量％，并且然后将焊接材料施加至包括铜焊盘的基板。 | ||
| 申请公布号 | CN102171803B | 申请公布日期 | 2015.03.18 |
| 申请号 | CN200980139227.1 | 申请日期 | 2009.12.08 |
| 申请人 | 英特尔公司 | 发明人 | M·庞;C·古鲁默西 |
| 分类号 | H01L21/60(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/60(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 陈松涛;王英 |
| 主权项 | 一种用于对无铅焊接材料进行掺杂的方法，包括：仅使用镍对所述无铅焊接材料进行掺杂；以及将镍掺杂的无铅焊接材料施加至基板的铜焊盘，其中镍掺杂包括介于0.1ppm至2ppm之间的重量百分比，其中所述无铅焊接材料是SnAg、SnAgCu或SnCu。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚 | ||