发明名称 |
一种阻抗匹配方法 |
摘要 |
本发明提供一种阻抗匹配方法,用于在交替循环的刻蚀和沉积中使得射频电源的阻抗和匹配网络与反应腔的阻抗匹配,该方法包括:在前N个刻蚀步骤中和前N个沉积步骤中通过调节匹配网络实现阻抗匹配,并获取匹配网络的刻蚀步骤阻抗值和沉积步骤阻抗值;在后续的刻蚀步骤中和沉积步骤中,分别设定匹配网络的阻抗值为刻蚀步骤阻抗值和沉积步骤阻抗值,并通过调节射频电源的频率实现阻抗匹配。与现有技术相比,本发明有较快的匹配速度,能够稳定地实现阻抗匹配,避免了刻蚀和沉积效果不均匀的问题。同时,本发明使用扫频匹配时,无需预先确定匹配网络中各元件的参数值,减少了工艺开发的工作量。 |
申请公布号 |
CN104425208A |
申请公布日期 |
2015.03.18 |
申请号 |
CN201310412111.9 |
申请日期 |
2013.09.11 |
申请人 |
北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
发明人 |
韦刚;李兴存;宋铭明 |
分类号 |
H01L21/00(2006.01)I;H05H1/46(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/00(2006.01)I |
代理机构 |
北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 |
代理人 |
彭瑞欣;张天舒 |
主权项 |
一种阻抗匹配方法,用于在交替循环的刻蚀和沉积中使得射频电源的阻抗和匹配网络与反应腔的阻抗匹配,其特征在于,所述阻抗匹配方法包括:S1、在前N个刻蚀步骤中,调节所述匹配网络,使所述射频电源的阻抗和所述匹配网络与所述反应腔的阻抗匹配,并获取所述匹配网络的刻蚀步骤阻抗值,以及在前N个沉积步骤中,调节所述匹配网络,使所述射频电源的阻抗和所述匹配网络与所述反应腔的阻抗匹配,并获取所述匹配网络的沉积步骤阻抗值;S2、在第N+1个以及后续的刻蚀步骤中,设定所述匹配网络的阻抗值为所述刻蚀步骤阻抗值,在第N+1个以及后续的沉积步骤中,设定所述匹配网络的阻抗值为所述沉积步骤阻抗值,并在第N+1个以及后续的刻蚀步骤和第N+1个以及后续的沉积步骤中,调节所述射频电源的频率,以使所述射频电源的阻抗和所述匹配网络与所述反应腔的阻抗匹配;其中,N为预先设定的正整数。 |
地址 |
100176 北京市北京经济技术开发区文昌大道8号 |