| 发明名称 | 一种自然氧化层的去除方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种自然氧化层的去除方法，在400℃～600℃的温度条件下，使用锗的氢化物去除半导体衬底表面上的自然氧化层。本发明提供的自然氧化层的去除方法的处理温度低，可有效避免半导体器件衬底硅的损失，并且整个去除过程可在外延反应设备中进行，不需要对外延反应设备的腔室进行任何改造，因此处理成本也大大降低。 | ||
| 申请公布号 | CN104425241A | 申请公布日期 | 2015.03.18 |
| 申请号 | CN201310409612.1 | 申请日期 | 2013.09.10 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 王桂磊;赵超 |
| 分类号 | H01L21/311(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/311(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京维澳专利代理有限公司 11252 | 代理人 | 王立民;吉海莲 |
| 主权项 | 一种自然氧化层的去除方法，其特征在于，在400℃～600℃的温度条件下，使用锗的氢化物去除半导体衬底表面上的自然氧化层。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||