一种半导体器件及其制造方法

摘要

本发明提供一种半导体器件及其制造方法，涉及半导体技术领域。本发明的半导体器件的制造方法，通过在栅极叠层结构中增加盖帽层和阻挡层，实现了对晶体管的阈值电压的调节，可以更好地实现具有多阈值电压的半导体器件。本发明的半导体器件，由于在栅极叠层结构中增加了盖帽层和阻挡层，可以实现对晶体管的阈值电压的调节，具有更好的阈值电压特性。

主权项

一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：步骤S101：提供半导体衬底，在所述半导体衬底的拟形成N型低阈值电压晶体管、N型高阈值电压晶体管、P型低阈值电压晶体管和P型高阈值电压晶体管的区域分别形成包括伪栅极氧化层、伪栅极和栅极侧壁的伪栅极结构，并在所述伪栅极结构之间形成层间介电层，去除所述伪栅极和所述伪栅极氧化层；步骤S102：在所述栅极侧壁之间自下而上依次形成N型低阈值电压晶体管、N型高阈值电压晶体管、P型低阈值电压晶体管和P型高阈值电压晶体管的界面层、高k介电层、盖帽层和阻挡层；步骤S103：在所述阻挡层上形成所述N型低阈值电压晶体管、所述N型高阈值电压晶体管、所述P型低阈值电压晶体管和所述P型高阈值电压晶体管的功函数金属层；步骤S104：在所述功函数金属层上分别形成所述N型低阈值电压晶体管、所述N型高阈值电压晶体管、所述P型低阈值电压晶体管和所述P型高阈值电压晶体管的金属栅极。