| 发明名称 | 半导体器件 | ||
| 摘要 | 提供具有高可靠性的压接型的半导体器件。实施方式的半导体器件包括：框体；半导体元件，配置在框体的内侧，在第1面具有第1电极，在与第1面相反侧的第2面具有第2电极；第1电极块，设置在第1面侧，与第1电极电连接；第1连接部，连接第1电极块和框体；第2电极块，设置在第2面侧，与第2电极电连接；以及第2连接部，连接第2电极块和框体。而且，第1连接部或第2连接部具有在局部对压力或温度的耐性低的脆弱部。 | ||
| 申请公布号 | CN104425393A | 申请公布日期 | 2015.03.18 |
| 申请号 | CN201410070604.3 | 申请日期 | 2014.02.28 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 镰田周次 |
| 分类号 | H01L23/10(2006.01)I;H01L29/868(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/10(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 高科 |
| 主权项 | 一种半导体器件，其特征在于包括：框体；半导体元件，配置在上述框体的内侧，在第1面具有第1电极，在与第1面相反侧的第2面具有第2电极；第1电极块，设置在上述第1面侧，与上述第1电极电连接；第1连接部，连接上述第1电极块和上述框体；第2电极块，设置在上述第2面侧，与上述第2电极电连接；以及第2连接部，连接上述第2电极块和上述框体，且上述第1连接部或上述第2连接部具有在局部对压力或温度的耐性低的脆弱部。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||