PMOS晶体管结构及其制造方法

摘要

本发明提供了一种PMOS晶体管结构及其制造方法，其中，所述制造方法包括：在半导体衬底依次形成第一材料层与第二材料层；在所述第二材料层上形成栅极结构；以所述栅极结构为掩膜，依次对所述第二材料层、第一材料层以及部分半导体衬底进行第一次刻蚀；对所述第一材料层进行第二次刻蚀；在半导体衬底上形成第三材料层。本发明通过对第一材料层进行第二次刻蚀，增加后续形成的第三材料层的体积，从而进一步增大沟道区域的应力，提高PMOS晶体管载流子迁移率，提高器件性能。

主权项

一种PMOS晶体管的制造方法，其特征在于，包括：提供一半导体衬底，在其上依次形成第一材料层与第二材料层；在所述第二材料层上形成栅极结构；以所述栅极结构为掩膜，依次对所述第二材料层、第一材料层以及部分半导体衬底进行第一次刻蚀；对所述第一材料层的两侧进行第二次刻蚀；在所述半导体衬底上形成第三材料层，所述第三材料层位于所述第一材料层、第二材料层和栅极结构的两侧。