发明名称 薄膜晶体管及使用该薄膜晶体管之显示阵列基板
摘要 本发明提供一种薄膜晶体管。该薄膜晶体管包括:一栅极;一覆盖该栅极之栅极绝缘层;在该栅极绝缘层上对应该栅极处的沟道层;一覆盖该沟道层之蚀刻阻挡层,该蚀刻阻挡至少包括一有机阻挡层及与该有机阻挡层层迭设置的硬遮罩层,该有机阻挡层为经固化处理之透明有机材料层,该硬遮罩层形成在该有机阻挡层背离该沟道层之表面上,用于增强该有机阻挡层之硬度;贯穿该蚀刻阻挡层之二接触孔;及经由该二接触孔与该沟道层相连之源极与漏极。本发明还提供一种使用该薄膜晶体管的显示阵列基板。
申请公布号 CN104425621A 申请公布日期 2015.03.18
申请号 CN201310372141.1 申请日期 2013.08.23
申请人 业鑫科技顾问股份有限公司;新光电科技有限公司 发明人 吴逸蔚;陆一民;张炜炽;林辉巨;高逸群;方国龙
分类号 H01L29/786(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I 主分类号 H01L29/786(2006.01)I
代理机构 深圳市鼎言知识产权代理有限公司 44311 代理人 孔丽霞
主权项 一种薄膜晶体管,包括:一栅极;一覆盖该栅极之栅极绝缘层;在该栅极绝缘层上对应该栅极处的沟道层;一覆盖该沟道层之蚀刻阻挡层,该蚀刻阻挡层为一层迭结构,至少包括一有机阻挡层及与该有机阻挡层一硬遮罩层,该有机阻挡层与该硬遮罩层层迭设置,该有机阻挡层为经固化处理之透明有机材料层,该硬遮罩层形成在该有机阻挡层背离该沟道层之表面上,用于增强该有机阻挡层之硬度;贯穿该蚀刻阻挡层之二接触孔;及经由该二接触孔与该沟道层相连之源极与漏极。
地址 中国台湾新竹县竹北市台元一街1号7楼之1
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