| 发明名称 | 硅通孔结构和方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及硅通孔结构和方法，公开了用于制造硅通孔的系统和方法。一个实施例包括：形成具有从衬底突出的衬里的硅通孔。钝化层形成在衬底和硅通孔的上方，并且钝化层和衬里从硅通孔的侧壁开始凹陷。然后，导电材料可以形成为与硅通孔的侧壁和顶面接触。 | ||
| 申请公布号 | CN102820257B | 申请公布日期 | 2015.03.18 |
| 申请号 | CN201110446671.7 | 申请日期 | 2011.12.28 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 余振华;郑心圃;邱文智;蔡方文;蔡承佑 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I;H01L23/48(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人 | 陆鑫;房岭梅 |
| 主权项 | 一种制造半导体器件的方法，包括：在衬底中形成硅通孔，所述硅通孔具有被衬里覆盖的侧壁；在所述衬底和所述衬里的上方共形地形成钝化层；使所述钝化层和所述衬里凹陷，以露出所述硅通孔的侧壁，所述钝化层在凹陷所述钝化层和所述衬里之后具有两个不同的厚度；以及与所述硅通孔的侧壁接触地形成导电材料。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||