| 发明名称 | 半导体器件及半导体器件的形成方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件及半导体器件的形成方法，其中半导体器件的形成方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面形成有衬垫氧化层以及位于衬垫氧化层表面的硬掩膜层；依次刻蚀衬垫氧化层和部分厚度的半导体衬底形成第一沟槽；侧向回刻蚀第一沟槽两侧的部分硬掩膜层；形成填充满所述第一沟槽的第一隔离层；回刻蚀去除衬垫氧化层和部分厚度的第一隔离层，直至第一隔离层顶部低于半导体衬底表面，形成第二沟槽；在所述第二沟槽内的半导体衬底表面及侧壁形成外延层，且所述外延层与半导体衬底材料相同。本发明形成的半导体器件具有较大的有源区宽度，半导体器件的驱动电流得到了提高。 | ||
| 申请公布号 | CN104425278A | 申请公布日期 | 2015.03.18 |
| 申请号 | CN201310398733.0 | 申请日期 | 2013.09.04 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 宋化龙 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L21/76(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面形成有衬垫氧化层以及位于衬垫氧化层表面的硬掩膜层；图形化所述硬掩膜层，以图形化的硬掩膜层为掩膜，依次刻蚀衬垫氧化层和部分厚度的半导体衬底形成第一沟槽；侧向回刻蚀第一沟槽两侧的部分硬掩膜层，暴露出部分衬垫氧化层表面；形成填充满所述第一沟槽的第一隔离层；回刻蚀去除衬垫氧化层和部分厚度的第一隔离层，直至第一隔离层顶部低于半导体衬底表面，形成第二沟槽；在所述第二沟槽内的半导体衬底表面及侧壁形成外延层，暴露出部分第一隔离层表面，且所述外延层与半导体衬底材料相同；去除硬掩膜层和衬垫氧化层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||