| 发明名称 | 半导体装置以及半导体装置的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种半导体装置(10)的制造方法，包括将具有开口(42)的掩模(20)置于基板(18)的上表面的外部区域(24)上，以将所述掩模的所述开口的端部(44)正好定位在形成于所述基板的所述上表面上的凹部(20)的上方，所述外部区域位于所述凹部的外侧。所述制造方法进一步包括：在将所述掩模置于所述基板上之后，通过所述掩模，在所述基板的所述上表面的一部分上使导电膜(16)生长，所述上表面的所述一部分包含所述凹部；以及在使所述导电膜生长之后，将所述掩模从所述基板移除。 | ||
| 申请公布号 | CN104425296A | 申请公布日期 | 2015.03.18 |
| 申请号 | CN201410439886.X | 申请日期 | 2014.09.01 |
| 申请人 | 丰田自动车株式会社 | 发明人 | 牛岛隆志;今井敦志;野原二郎 |
| 分类号 | H01L21/60(2006.01)I;H01L23/488(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/60(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京金信知识产权代理有限公司 11225 | 代理人 | 黄威;董领逊 |
| 主权项 | 半导体装置(10)的制造方法，其特征在于包括：将具有开口(42)的掩模(40)置于基板(18)的上表面的外部区域(24)上，以将所述掩模的所述开口的端部(44)正好定位在形成于所述基板的所述上表面上的凹部的上方，所述外部区域位于所述凹部的外侧；在将所述掩模置于所述基板上之后，通过所述掩模，在所述基板的所述上表面的一部分上使导电膜(16)生长，所述上表面的所述一部分包含所述凹部；以及在使所述导电膜生长之后，将所述掩模从所述基板移除。 | ||
| 地址 | 日本爱知县 | ||