SiC半导体装置的制造方法

摘要

本发明的目的在于提供一种能够通过4探针法测定电阻值的SiC半导体装置的制造方法。本发明所涉及的SiC半导体装置的制造方法具有：工序(a)，其向SiC衬底的表面层注入大于或等于1×10²⁰cm^-3浓度的杂质；工序(b)，其在工序(a)之后，在SiC衬底的表面形成石墨膜；工序(c)，其在工序(b)之后，通过对SiC衬底进行退火处理而使杂质活性化；工序(d)，其在工序(c)之后，将石墨膜去除；工序(e)，其在工序(d)之后，将SiC衬底的表面氧化而形成氧化膜；工序(f)，其将氧化膜去除；以及工序(g)，其在工序(f)之后，对该SiC衬底通过4探针法进行电阻值的测定。

主权项

一种SiC半导体装置的制造方法，其具有：工序(a)，在该工序中，向SiC衬底的表面层注入大于或等于1×10²⁰cm^‑3浓度的杂质；工序(b)，在该工序中，在所述工序(a)之后，在所述SiC衬底的表面形成石墨膜；工序(c)，在该工序中，在所述工序(b)之后，通过对所述SiC衬底进行退火处理而使所述杂质活性化；工序(d)，在该工序中，在所述工序(c)之后，将所述石墨膜去除；工序(e)，在该工序中，在所述工序(d)之后，将所述SiC衬底的表面氧化而形成氧化膜；工序(f)，在该工序中，将所述氧化膜去除；以及工序(g)，在该工序中，在所述工序(f)之后，对该SiC衬底通过4探针法进行电阻值的测定。