| 发明名称 | 覆盖层形成用溅射靶材及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供能够稳定地形成能够确保与低电阻的Cu薄膜层的密合性、耐候性、耐氧化性并且进行稳定的湿蚀刻的新型的覆盖层的、新的覆盖层形成用溅射靶材及其制造方法。一种覆盖层形成用溅射靶材，由Cu或Cu合金形成的薄膜层的覆盖层形成用溅射靶材含有总计60原子％以下的Mn 5～25原子％以及选自Mo、Cu和Fe的一种以上元素，余量为Ni和不可避免的杂质，居里点为常温以下。 | ||
| 申请公布号 | CN104419903A | 申请公布日期 | 2015.03.18 |
| 申请号 | CN201410415769.X | 申请日期 | 2014.08.21 |
| 申请人 | 日立金属株式会社 | 发明人 | 村田英夫;上滩真史 |
| 分类号 | C23C14/34(2006.01)I | 主分类号 | C23C14/34(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人 | 刘新宇;李茂家 |
| 主权项 | 一种覆盖层形成用溅射靶材，其特征在于，其为由Cu或Cu合金形成的薄膜层的覆盖层形成用溅射靶材，含有Mn 5～25原子％，含有总计60原子％以下的所述Mn以及选自Mo、Cu和Fe的一种以上元素，余量为Ni和不可避免的杂质，居里点为常温以下。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||