发明名称 |
一种OLED发光器件及显示装置 |
摘要 |
本实用新型提供了一种OLED发光器件及显示装置,涉及显示技术领域,改善了现有的载流子注入不平衡以及激子在界面处堆积使得有机发光二极管猝灭的问题。该OLED发光器件包括:衬底基板、设置在所述衬底基板上的阳极、阴极以及位于所述阳极和所述阴极之间的发光层,所述OLED发光器件还包括解离层,所述解离层用于使到达所述解离层的激子解离成空穴和电子;其中,在电子迁移率大于空穴迁移率的情况下,所述解离层设置在所述发光层和所述阳极之间;在空穴迁移率大于电子迁移率的情况下,所述解离层设置在所述发光层和所述阴极之间。用于OLED发光器件、包含该OLED发光器件的显示装置。 |
申请公布号 |
CN204216094U |
申请公布日期 |
2015.03.18 |
申请号 |
CN201420596464.9 |
申请日期 |
2014.10.15 |
申请人 |
京东方科技集团股份有限公司 |
发明人 |
李彦松 |
分类号 |
H01L51/52(2006.01)I;H01L27/32(2006.01)I |
主分类号 |
H01L51/52(2006.01)I |
代理机构 |
北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 |
代理人 |
申健 |
主权项 |
一种OLED发光器件,包括衬底基板、设置在所述衬底基板上的阳极、阴极以及位于所述阳极和所述阴极之间的发光层,其特征在于,所述OLED发光器件还包括解离层,所述解离层用于使到达所述解离层的激子解离成空穴和电子;其中,在电子迁移率大于空穴迁移率的情况下,所述解离层设置在所述发光层和所述阳极之间;在空穴迁移率大于电子迁移率的情况下,所述解离层设置在所述发光层和所述阴极之间。 |
地址 |
100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 |