发明名称 |
具有多单元阵列的半导体发光装置及其制造方法 |
摘要 |
本发明公开了一种半导体发光装置及其制造方法,所述半导体发光装置包括:基底;多个发光单元,布置在所述基底上,每个发光单元包括第一导电型半导体层、第二导电型半导体层以及设置在第一导电型半导体层和第二导电型半导体层之间的用于发射蓝光的有源层;互连结构,将发光单元的第一导电型半导体层和第二导电型半导体层中的至少一个电连接到其它发光单元的第一导电型半导体层和第二导电型半导体层中的至少一个;光转换部分,形成在由多个发光单元限定的发光区域的至少一部分中,所述光转换部分包括具有红光转换材料的红光转换部分和具有绿光转换材料的绿光转换部分中的至少一个。 |
申请公布号 |
CN102169934B |
申请公布日期 |
2015.03.18 |
申请号 |
CN201110056959.3 |
申请日期 |
2011.02.28 |
申请人 |
三星电子株式会社 |
发明人 |
金制远;张泰盛;禹钟均;李钟昊 |
分类号 |
H01L33/02(2010.01)I;H01L33/36(2010.01)I;H01L33/48(2010.01)I;H01L33/62(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I;H01L25/075(2006.01)I |
主分类号 |
H01L33/02(2010.01)I |
代理机构 |
北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 |
代理人 |
韩明星;李娜娜 |
主权项 |
一种半导体发光装置,所述半导体发光装置包括:基底;多个发光单元,布置在所述基底上,每个发光单元包括第一导电型半导体层、第二导电型半导体层以及设置在第一导电型半导体层和第二导电型半导体层之间的用于发射蓝光的有源层;第一焊盘和第二焊盘,分别设置在基底上;互连结构,包括第一互连结构和第二互连结构,第二互连结构将发光单元的第二导电型半导体层电连接到其它发光单元的第二导电型半导体层;光转换部分,形成在由多个发光单元限定的发光区域的至少一部分中,所述光转换部分包括具有红光转换材料的红光转换部分和具有绿光转换材料的绿光转换部分中的至少一个,其中,多个发光单元的第一导电型半导体层具有一体结构,其中,第一互连结构和第二互连结构中的每个分别从第一焊盘和第二焊盘延伸,其中,第一互连结构设置在多个发光单元的第一导电型半导体层上,并且包括设置在多个发光单元之间的部分,其中,所述多个发光单元沿多个列和行布置,其中,第一互连结构的所述部分在所述多个发光单元的行之间沿行方向延伸。 |
地址 |
韩国京畿道水原市 |