| 发明名称 | 一种形成厚度均匀二氧化硅侧墙的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种形成厚度均匀二氧化硅侧墙的方法，包括以下步骤：首先，在已形成多个栅极器件的表面沉积一层侧墙氧化层；对形成的侧墙氧化层进行刻蚀，使得沉积过程中形成于器件上栅极之间的封口被打开；在之前形成的侧墙氧化层上沉积一层侧墙氧化层，再次对形成的侧墙氧化层进行刻蚀；重复进行上述侧墙氧化层的沉积和刻蚀过程，直至所形成的侧墙氧化层的厚度达到目标厚度；其中，所述刻蚀选用原位NF<sub>3</sub>+NH<sub>3</sub>等离子体刻蚀。 | ||
| 申请公布号 | CN102723271B | 申请公布日期 | 2015.03.18 |
| 申请号 | CN201210204506.5 | 申请日期 | 2012.06.20 |
| 申请人 | 上海华力微电子有限公司 | 发明人 | 张文广;陈玉文 |
| 分类号 | H01L21/316(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/316(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人 | 王敏杰 |
| 主权项 | 一种形成厚度均匀二氧化硅侧墙的方法，其特征在于，包括以下步骤：首先，在已形成多个小线宽栅极和大线宽栅极的器件的表面沉积一层侧墙氧化层；对形成的侧墙氧化层进行刻蚀，使得沉积过程中形成于器件上小线宽栅极之间的封口被打开，并同时去除大线宽栅极上一定厚度的侧墙氧化层；在之前形成的侧墙氧化层上沉积一层侧墙氧化层，再次对形成的侧墙氧化层进行刻蚀；重复进行上述侧墙氧化层的沉积和刻蚀过程，直至所形成的侧墙氧化层的厚度达到目标厚度；其中，所述刻蚀选用原位NF<sub>3</sub>+NH<sub>3</sub>等离子体刻蚀。 | ||
| 地址 | 201210 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号 | ||