一种制备金属掩模版氮化钛的磁控溅射腔体的真空系统

摘要

本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种制备金属掩模版氮化钛的磁控溅射腔体的真空系统。本发明提出一种制备金属掩模版氮化钛的磁控溅射腔体的真空系统，通过在现有技术中反应腔室外接的低温泵上并联一个分子泵，以满足进行溅射工艺时，预抽真空阶段和工艺阶段时对反应腔室内的压力及气体流量的不同要求，同时又使得低温泵和真空泵均工作在其额定的范围内，以便应用于量产。

主权项

一种制备金属掩模版氮化钛的磁控溅射腔体的真空系统，包括反应腔室及与所述反应腔室连接的低温泵，其特征在于，根据反应腔室工艺条件设置至少一个与所述低温泵并联的高真空泵；其中，还包括一控制单元，所述控制单元根据反应腔室的工艺条件控制相应阀门的打开或闭合，所述控制单元根据工艺条件自动切换至合适的高真空泵进行工作。