非挥发性半导体记忆装置

摘要

本实施形态提供一种提高资料可靠性之非挥发性半导体记忆装置。;实施形态之非挥发性半导体记忆装置之特征在于包括：第1记忆体串，其包含第1记忆胞、第2记忆胞；第1字元线，其连接于上述第1记忆胞之控制闸极；第2字元线，其连接于上述第2记忆胞之控制闸极；及周边电路，其控制资料之写入顺序、资料之读出顺序；且上述周边电路于执行对于上述第1记忆胞之写入顺序或上述读出顺序之情形时，执行对上述第1字元线及上述第2字元线施加正的第1通过电压之不良侦测动作。