记忆体阵列及其非挥发性记忆装置;MEMORY ARRAY AND NON-VOLATILE MEMORY DEVICE OF THE SAME

摘要

一种非挥发性记忆装置，包含：基板区、二储存单元、间隙壁结构及二控制单元。二储存单元包含：各与基板区间形成有闸极介电层之二反熔丝闸极结构以及二扩散区。间隙壁结构形成于基板区上及反熔丝闸极结构间，接触于反熔丝闸极结构。扩散区分别为以第一型杂质布植之第一布植区，分别接触于二反熔丝闸极结构其中之一。控制单元各包含：选择闸极以及第二布植区。选择闸极形成于基板区上，并与基板区间形成有介电层，其第一侧与储存单元之二扩散区其中之一接触。第二布植区以第一型杂质布植形成于基板区中，并接触选择闸极之第二侧。