以六氟化钨（ＷＦ６）回蚀进行钨沉积;TUNGSTEN DEPOSITION WITH TUNGSTEN HEXAFLOURIDE (WF6) ETCHBACK

摘要

在本文中描述之实施通常系关于使用气相沉积制程在基板上形成钨材料之方法。该方法包含以下步骤：将具有形成于其中之特征的基板定位在基板处理腔室中；藉由将含氢气体及卤钨化合物之连续流引入至处理腔室以便在特征之上沉积第一钨膜，来沉积整体钨层之第一膜；使用电浆处理来蚀刻整体钨层之第一膜，以便藉由将此第一膜暴露至卤钨化合物及活化处理气体之连续流来移除第一膜之部分；及藉由将含氢气体及卤钨化合物之连续流引入至处理腔室以便在第一钨膜之上沉积第二钨膜，来沉积整体钨层之第二膜。