单晶积体绝对压力感测器的结构及方法;METHOD AND STRUCTURE OF MONOLITHICALLY INTEGRATED ABSOLUTE PRESSURE SENSOR

摘要

本发明揭示一种积体压力感测器件及其之制造方法。该方法可包含提供具有一表面区域之一基板部件，及形成上覆该基板之一CMOS IC层，及形成上覆该CMOS IC层之一氧化层。该氧化层之一部分可经移除以形成一空腔区域。一单晶矽晶圆可经接合上覆氧化表面区域，以密封该空腔区域。该接合程序可包含一熔化接合或共熔接合程序。该晶圆可经薄化至一所需厚度，且部分可经移除且用金属材料充填以形成通孔结构。一压力感测器器件可由该晶圆形成，且可与由该晶圆形成之另一感测器共同制造。该压力感测器及该另一感测器可共用一空腔压力或具有单独之空腔压力。