| 发明名称 |
替换性金属闸极电晶体的制造流程;PROCESS FLOW FOR REPLACEMENT METAL GATE TRANSISTORS |
| 摘要 |
一种替换性金属闸极电晶体以及形成替换性金属闸极电晶体的方法。各种范例提供制作替换性金属闸极电晶体的方法，其包括沉积介电层于沟槽内，其中介电层沉积至沟槽底部以及沟槽侧壁上，沉积第一金属层于沟槽内，其中第一金属层沉积至沟槽底部以及沟槽侧壁上并覆盖介电层，沉积第二金属层于沟槽内，其中第二金属层沉积于沟槽底部以及沟槽侧壁上并覆盖第一金属层，于沟槽侧壁移除至少部份的第二金属层，以及沉积导电层于沟槽内。其它实施例亦公开且要求保护。 |
| 申请公布号 |
TW201511102 |
申请公布日期 |
2015.03.16 |
| 申请号 |
TW103120642 |
申请日期 |
2014.06.16 |
| 申请人 |
瓦里安半导体设备公司 VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC. |
发明人 |
张郢 ZHANG, YING;舍曼 丝特芬 SHERMAN, STEVEN |
| 分类号 |
H01L21/28(2006.01);H01L21/336(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/28(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
叶璟宗郑婷文詹富闵 |
| 主权项 |
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| 地址 |
美国 US |
