| 发明名称 |
半导体装置及其制造方法;SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME |
| 摘要 |
提供一种更加方便及高度可靠的半导体装置，其具有包括用于各种应用之具更高耐冲击性之氧化物半导体的电晶体。半导体装置具有：于基板上包括闸极电极层、闸极绝缘层及氧化物半导体层之底闸电晶体；该电晶体上之绝缘层；及该绝缘层上之导电层。该绝缘层覆盖该氧化物半导体层及接触该闸极绝缘层。沿该氧化物半导体层之通道宽度方向，该闸极绝缘层之端部及该绝缘层之端部于该闸极电极层之上彼此对齐，及该导电层覆盖该氧化物半导体层之通道形成区、该闸极绝缘层之该端部及该绝缘层之该端部，并接触该闸极电极层。 |
| 申请公布号 |
TW201511292 |
申请公布日期 |
2015.03.16 |
| 申请号 |
TW103143040 |
申请日期 |
2011.01.28 |
| 申请人 |
半导体能源研究所股份有限公司 SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. |
发明人 |
山崎舜平 YAMAZAKI, SHUNPEI |
| 分类号 |
H01L29/786(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L21/28(2006.01) |
主分类号 |
H01L29/786(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
林志刚 |
| 主权项 |
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| 地址 |
日本 JP |
