半导体装置之制造方法

摘要

本实施形态提供一种可对应元件构造之微细化而提高终端部之耐压之半导体装置之制造方法。本实施形态系半导体装置之制造方法，该半导体装置包含：设置半导体元件之元件部、及包围上述元件部之终端部；且该制造方法系形成沿自形成上述半导体元件之第1导电形之半导体层之第1面至与上述第1面为相反侧之第2面之方向延伸之复数个沟槽；形成覆盖上述第1面及上述复数个沟槽之内面之绝缘膜；除去上述复数个沟槽中之位于上述终端部之沟槽之底面所形成之上述绝缘膜之一部分；于除去上述绝缘膜之一部分之上述沟槽之底部中离子注入第2导电形之杂质。