半导体装置之制造方法，基板处理装置及记录媒体

摘要

本发明系利用较高之控制性而以高浓度之方式形成添加有碳之薄膜。;本发明系具有针对循环进行既定次数而藉此在基板上形成包含有矽、碳及既定元素之薄膜的步骤；该循环系包含有以下之步骤：对基板供给原料气体的步骤，该原料气体系于1分子中包含有至少2个矽，且更进一步包含有碳及卤素元素，并且具有Si-C键；及对基板供给改质气体的步骤，该改质气体系包含有氮或氧中之任一者即既定元素。