气体阻隔性层积体、电子装置用构件及电子装置

摘要

本发明系具有基材及气体阻隔性单元，其特征在于：上述气体阻隔性单元，至少包含2层无机层，上述至少2层的无机层之中，至少1层系氧氮化矽层，上述氧氮化矽层，系厚度为25nm以上，于层中对厚度方向随着向基材侧，氧元素的存在比减少，而氮元素的存在比增加的倾斜组成区域，上述倾斜组成区域的厚度，对氧氮化矽层全体的厚度之比为0.15以上之气体阻隔性层积体；由该气体阻隔性层积体构成之电子装置用构件、及包括该电子装置用构件之电子装置。根据本发明，可提供具有极高的气体阻隔性与耐折弯性的气体阻隔性层积体，由该气体阻隔性层积体组成之电子装置用构件，以及包括上述电子装置用构件之电子装置。