蚀刻液、使用其的蚀刻方法、蚀刻液套组以及半导体基板制品的制造方法;ETCHING SOLUTION, ETCHING METHOD USING THEREOF, ETCHING SOLUTION KIT, AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR SUBSTRATE PRODUCT

摘要

本发明提供一种蚀刻液，其为将配置于矽化物层的上侧的金属层去除的蚀刻液，并且所述蚀刻液含有盐酸、硝酸、磺酸化合物、主要由含杂原子的化合物所组成的金属防蚀剂及水，对于金属防蚀剂而言，含有金属防蚀剂的化学液与不含金属防蚀剂的化学液的特定的镍溶解度比为20%以上。