裏面照射型センサを作製するための方法

摘要

裏面照射型センサを作製するための方法は、第１の導電性を有する薄膜半導体薄片を提供するステップと、薄片内および薄片の表面に第２の導電性を有するドープ領域を形成するステップとを含む。薄片は自立薄片として提供され得るか、または、薄片が劈開された半導体ドナー体として提供され得る。ドープ領域への電気的接続部が形成される。仮キャリアが、半導体の裏面に接触され、その後、取り除かれる。裏面照射型センサは、半導体薄片から作製され、作製プロセス中に半導体薄片の厚さが実質的に変化しないままである。