带有集成肖特基二极体的MOSFET;MOSFET with Integrated Schottky Diode

摘要

本发明的各个方面提出了一种肖特基结构，其中两个沟槽形成在半导体材料中。沟槽透过台面结构相互间隔开。每个沟槽都有第一和第二导电部分，内衬第一和第二侧壁。第一和第二部分导电材料在每个沟槽中相互电绝缘。肖特基接头形成在最外面的导电部分之间的任意位置。肖特基结构形成在器件晶片的主动区或端接区中。要强调的是，本摘要必须使研究人员或其他读者快速掌握技术说明书的主旨内容，本摘要符合以上要求。应明确，本摘要将不用于解释或局限申请专利的范围或意图。