氮化镓装置及积体电路中之隔离结构;ISOLATION STRUCTURE IN GALLIUM NITRIDE DEVICES AND INTEGRATED CIRCUITS

摘要

一种整合半导体装置包括一基材层、形成在该基材层上之一缓冲层、形成在该缓冲层上之一氮化镓层、及形成在该氮化镓层上之一障壁层。此外，用于多数电晶体装置之欧姆接点系形成在该障壁层上。详而言之，用于第一电晶体装置之多数第一欧姆接点系形成在该障壁层之表面之一第一部份上，且用于第二电晶体装置之多数第二欧姆接点系形成在该障壁层之表面之一第二部份上。又，一或多个闸极结构形成在该障壁之表面之一第三部份上且在该等第一与第二电晶体装置之间。较佳地，该等一或多个闸极结构及在该等电晶体装置之该等闸极结构与该等源极接点之间的空间一起形成一隔离区，且该隔离区电气隔离该第一电晶体装置与该第二电晶体装置。