发明名称 于一半导体装置上方层压一层之技术;LAMINATING A LAYER OVER A SEMICONDUCTOR DEVICE
摘要 一种根据本发明之实施例之方法,该方法包含于一发光二极体(LED)上方层压一膜。藉由抵靠该LED之一顶部表面按压一平坦化元件来减小安置于该LED之一顶部表面上方之该膜之一部分之一厚度。
申请公布号 TW201511356 申请公布日期 2015.03.16
申请号 TW103119797 申请日期 2014.06.06
申请人 皇家飞利浦有限公司 KONINKLIJKE PHILIPS N.V. 发明人 曼荷渥德 彼得 MAHOWALD, PETER
分类号 H01L33/50(2010.01) 主分类号 H01L33/50(2010.01)
代理机构 代理人 林嘉兴
主权项
地址 荷兰 NL