密封半导体元件及半导体装置之制造方法

摘要

本发明之密封半导体元件之制造方法包括：准备步骤，其系准备配置有半导体元件之支持片材；密封步骤，其系藉由具备剥离层、积层于剥离层下且包含热硬化性树脂之完全硬化前之密封层、及积层于剥离层上且补强剥离层及密封层之补强层的密封片材之密封层于常温下埋设半导体元件而进行密封；加热步骤，其系于密封步骤后加热密封层而使之硬化；及剥离步骤，其系于加热步骤后剥离补强层。