半导体发光装置

摘要

本发明提供一种发光效率提高且发光特性得获改善之半导体发光装置。;一种半导体发光装置，其特征在于包括半导体发光元件(100)及波长转换构件，该半导体发光元件(100)具有将至少2层以上之半导体层(103)(105)与发光层(104)积层而构成之积层半导体层(110)，并发出第一光，该波长转换构件至少覆盖半导体发光元件(100)之一部分，吸收第一光之至少一部分，并发出波长与第一光不同之第二光；并且，半导体发光元件(100)于构成半导体发光元件(100)之任一主面上，具备包含由朝面外方向延伸之复数个凸部或凹部而构成之点的微细结构层作为构成要素，微细结构层构成至少由点间之间距、点径或点高度中之任一者所控制之二维光子晶体(102)，且二维光子晶体(102)至少具有各为1μm以上之2个以上之周期。