半导体装置与其形成方法;SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

摘要

本发明提供之半导体装置包括第一型区域，其包括第一导电型。半导体装置包括第二型区域，其包括第二导电型。半导体装置包括通道区，其延伸于第一型区域与第二型区域之间。通道区与第一型区域之第一部份之间隔有第一距离。半导体装置包含闸极区围绕通道区。闸极区之第一部份与第一型区域之第一部份之间隔有第二距离。第二距离大于第一距离。