于鳍式场效电晶体半导体设备上形成接触结构的方法及其所产生的设备;METHODS OF FORMING CONTACT STRUCTURES ON FINFET SEMICONDUCTOR DEVICES AND THE RESULTING DEVICES

摘要

一种方法，包括：在基材之上形成具有凹口之隆起隔离结构、在晶鳍之上形成闸极结构、在凹口内形成具有外部周界表面之复数个间隔埋置型晶鳍接触结构(此外部周界表面接触凹口之至少一部分内部周界表面)、以及针对每一个埋置型晶鳍接触结构形成至少一个源极/汲极接触结构。一种设备，包括：位于闸极结构之相反侧上之隆起隔离结构中之凹口内的复数个间隔埋置型晶鳍接触结构。每一个埋置型晶鳍接触结构之上表面系位于隆起隔离结构之上表面的下方，并且每一个埋置型晶鳍接触结构之外部周界表面接触凹口之至少一部分内部周界表面。