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发明名称
电力用半导体装置及其制造方法
摘要
提供一种兼顾晶片特性与组装性之电力用半导体装置及其制造方法。;实施形态之电力用半导体装置,具备:半导体部分;表面侧金属层,设于前述半导体部分的上面上,含有第1金属,至少一部分系结晶化;及背面侧金属层,设于前述半导体部分的下面上,含有前述第1金属,至少一部分系结晶化。
申请公布号
TW201511258
申请公布日期
2015.03.16
申请号
TW102147769
申请日期
2013.12.23
申请人
东芝股份有限公司 KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人
西川幸江 NISHIKAWA, YUKIE;柴田浩延 SHIBATA, HIRONOBU;高桥宣博 TAKAHASHI, NOBUHIRO
分类号
H01L29/73(2006.01);H01L21/28(2006.01)
主分类号
H01L29/73(2006.01)
代理机构
代理人
林志刚
主权项
地址
日本 JP
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