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经营范围
发明名称
半导体装置之制造方法;SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD
摘要
本发明系于对同一膜进行复数次加工步骤之情形时,在用作对位标记等之图案上较薄地形成光阻膜,防止于加工步骤中该图案自光阻膜露出而被去除,藉此提高半导体装置之可靠性。;本发明系由将形成于半导体基板SB上之导电膜PS1开口之线状之沟槽W1、W2而构成用作对位标记等的图案PT1、PT2,藉此防止形成于导电膜PS1上之光阻膜向导电膜PS1之开口部侧流动。
申请公布号
TW201511181
申请公布日期
2015.03.16
申请号
TW103120385
申请日期
2014.06.12
申请人
瑞萨电子股份有限公司 RENESAS ELECTRONICS CORPORATION
发明人
茶木原启 CHAKIHARA, HIRAKU;中江彰宏 NAKAE, AKIHIRO;筱原正昭 SHINOHARA, MASAAKI;石井泰之 ISHII, YASUSHI
分类号
H01L21/8239(2006.01);H01L21/28(2006.01)
主分类号
H01L21/8239(2006.01)
代理机构
代理人
陈长文
主权项
地址
日本 JP
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