发明名称 |
具有电浆鞘电位之基板的非双极电子电浆(NEP)处理用处理系统;PROCESSING SYSTEM FOR NON-AMBIPOLAR ELECTRON PLASMA (NEP) TREATMENT OF A SUBSTRATE WITH SHEATH POTENTIAL |
摘要 |
揭露一种处理系统,该处理系统具有:一电浆来源腔室,该电浆来源腔室激发一来源电浆以产生一电子束;及一处理腔室,该处理腔室容纳一基板以将该基板暴露于该电子束。该处理系统亦包括一电子注射器,该电子注射器于该电子束进入处理腔室时将电子从来源电浆注入该电子束中。在处理腔室中该电子束包括基本上相等数量之电子与带正电离子。在一实施例中,该处理系统亦包括一磁场产生器,该磁场产生器在该处理腔室中产生一磁场,以捕捉该电子束中所包括之电子以在该磁场产生器及该基板之间产生一电压电位。该电压电位使带正电离子向该基板加速、并使到达该基板的电子最少化。 |
申请公布号 |
TW201511070 |
申请公布日期 |
2015.03.16 |
申请号 |
TW103119600 |
申请日期 |
2014.06.05 |
申请人 |
东京威力科创股份有限公司 TOKYO ELECTRON LIMITED |
发明人 |
陈立 CHEN, LEE;方克 梅瑞特 FUNK, MERRITT;陈智颖 CHEN, ZHIYING |
分类号 |
H01J37/305(2006.01) |
主分类号 |
H01J37/305(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
周良谋周良吉 |
主权项 |
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地址 |
日本 JP |