发明名称 |
动态随机存取记忆体装置和自再新记忆体胞元的方法;DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE AND METHOD FOR SELF-REFRESHING MEMORY CELLS |
摘要 |
一种具有记忆体胞元的动态随机存取记忆体(DRAM)装置系操作在自再新模式和正常模式中。在该操作的自再新模式中,模式侦测器提供自再新模式信号。其包括自发震荡器,以产生与自再新模式信号无关的震荡信号。回应于该震荡信号,在该自再新模式中,自请求控制器提供自再新请求信号。该自再新信号与该自再新模式信号非同步并且被提供至位址电路,以选择用以自再新其记忆体胞元的字元线。自再新请求控制器包括逻辑电路,以仲裁在震荡信号和自再新模式信号的初始有效边缘之间的时序,并且提供自再新请求然后再将其停止,而忽略当进入和离开自再新模式时,在自再新模式信号和震荡信号之间的冲突。该DRAM装置针对可变的DRAM胞元保持时间执行并且达成可靠的自再新。 |
申请公布号 |
TW201511000 |
申请公布日期 |
2015.03.16 |
申请号 |
TW103126202 |
申请日期 |
2006.10.17 |
申请人 |
摩赛德科技股份有限公司 MOSAID TECHNOLOGIES INCORPORATED |
发明人 |
吴学俊 OH, HAKJUNE |
分类号 |
G11C11/406(2006.01) |
主分类号 |
G11C11/406(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
林志刚 |
主权项 |
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地址 |
加拿大 CA |