发明名称 动态随机存取记忆体装置和自再新记忆体胞元的方法;DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE AND METHOD FOR SELF-REFRESHING MEMORY CELLS
摘要 一种具有记忆体胞元的动态随机存取记忆体(DRAM)装置系操作在自再新模式和正常模式中。在该操作的自再新模式中,模式侦测器提供自再新模式信号。其包括自发震荡器,以产生与自再新模式信号无关的震荡信号。回应于该震荡信号,在该自再新模式中,自请求控制器提供自再新请求信号。该自再新信号与该自再新模式信号非同步并且被提供至位址电路,以选择用以自再新其记忆体胞元的字元线。自再新请求控制器包括逻辑电路,以仲裁在震荡信号和自再新模式信号的初始有效边缘之间的时序,并且提供自再新请求然后再将其停止,而忽略当进入和离开自再新模式时,在自再新模式信号和震荡信号之间的冲突。该DRAM装置针对可变的DRAM胞元保持时间执行并且达成可靠的自再新。
申请公布号 TW201511000 申请公布日期 2015.03.16
申请号 TW103126202 申请日期 2006.10.17
申请人 摩赛德科技股份有限公司 MOSAID TECHNOLOGIES INCORPORATED 发明人 吴学俊 OH, HAKJUNE
分类号 G11C11/406(2006.01) 主分类号 G11C11/406(2006.01)
代理机构 代理人 林志刚
主权项
地址 加拿大 CA