| 摘要 |
<p>Bei einem Halbleiter-Bauteil, ausgebildet auf einem zumindest eine Device-Schicht und eine Isolator- Schicht aufweisenden Halbleiter-Substrat, gekennzeichnet durch zumindest eine Halbleiter- Kondensatorelektrode in der Device-Schicht in Form eines aus der Device-Schicht gebildeten porösen Bereichs. Das erfindungsgemäße Verfahren umfasst die folgende Schritte: a) Bereitstellen eines Halbleiter-Substrats mit zumindest einer Device-Schicht und einer Isolator-Schicht b) Herstellen zumindest eines porösen Bereichs in der Device-Schicht durch Metall- unterstütztes Ätzen c) Umgeben des porösen Bereichs mit bis auf die Isolator-Schicht reichenden Trenches d) Ankontaktieren des zumindest einen porösen Bereichs zur Ausbildung einer Halbleiter- Kondensatorelektrode in der Device-Schicht.</p> |
