| 摘要 |
Ein Leistungstransistor umfasst eine Anzahl von Transistorzellen. Jede Transistorzelle umfasst ein Sourcegebiet, ein Draingebiet, ein Bodygebiet und eine Gateelektrode. Jedes Sourcegebiet ist in einer ersten Halbleiterfinne des Halbleiterkörpers angeordnet. Jedes Draingebiet ist zumindest teilweise in einer zweiten Halbleiterfinne des Halbleiterkörpers angeordnet. Die zweite Halbleiterfinne ist von der ersten Halbleiterfinne in einer horizontalen Richtung des Halbleiterkörpers beabstandet. Jedes Draingebiet ist zumindest teilweise in einer zweiten Halbleiterfinne des Halbleiterkörpers angeordnet. Die zweite Halbleiterfinne ist von der ersten Halbleiterfinne in einer ersten horizontalen Richtung des Halbleiterkörpers beabstandet. Jede Gateelektrode ist in einem Graben benachbart zu der ersten Halbleiterfinne angeordnet, ist benachbart zu dem Bodygebiet und ist von dem Bodygebiet durch ein Gatedielektrikum isoliert dielektrisch. Jede der ersten und zweiten Halbleiterfinnen hat eine Breite in der ersten horizontalen Richtung und eine Länge in der zweiten horizontalen Richtung, wobei die Länge größer als die Breite ist. |
