| 发明名称 |
高電圧用途のための改良終端構造を備えるトレンチＤＭＯＳ素子 |
| 摘要 |
半導体素子の終端構造を提供する。終端構造は、活動領域および終端領域を有する半導体基板を含む。終端トレンチは終端領域に位置し、活動領域の境界から半導体基板の端部に向かって延在する。ＭＯＳゲートは境界に隣接する終端トレンチの側壁上に形成される。少なくとも１つのガードリングトレンチは活動領域から離れた終端トレンチの側部上の終端領域に形成される。終端構造酸化層は終端トレンチおよびガードリングトレンチ上に形成される。第１の導電層は半導体基板の裏面に形成される。第２の導電層は活動領域および終端領域の上部に形成される。【選択図】 図２ |
| 申请公布号 |
JP2015507849(A) |
申请公布日期 |
2015.03.12 |
| 申请号 |
JP20140551253 |
申请日期 |
2012.12.13 |
| 申请人 |
ヴィシャイ ジェネラル セミコンダクター エルエルシーＶｉｓｈａｙ Ｇｅｎｅｒａｌ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ ＬＬＣ |
发明人 |
リン，イー−イン;リン，パイ−リ;フス，チー−ウェイ |
| 分类号 |
H01L29/06;H01L21/329;H01L29/41;H01L29/47;H01L29/739;H01L29/78;H01L29/872 |
主分类号 |
H01L29/06 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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