Verfahren zur Herstellung einer Feldeffekttransistor-Einheit mit Nanodrähten

摘要

Verfahren zum Bilden einer Feldeffekttransistor-Einheit, wobei das Verfahren aufweist: Bilden eines Nanodrahts, der oberhalb eines Substrats aufgehängt wird; Bilden eines Dummy-Gate-Stapels auf einem Anteil des Substrats und um einen Anteil des Nanodrahts herum; Entfernen von freiliegenden Anteilen des Nanodrahts; epitaxiales Aufbauen von Verlängerungsanteilen des Nanodrahts aus freiliegenden Anteilen des Nanodrahts; Abscheiden einer Schicht aus einem Halbleitermaterial über freiliegenden Anteilen des Substrats, des Dummy-Gate-Stapels und der Verlängerungsanteile des Nanodrahts; Entfernen von Anteilen des Halbleitermaterials, um Seitenwand-Kontakt-Bereiche zu bilden, die angrenzend an den Dummy-Gate-Stapel angeordnet sind und sich in Kontakt mit den Verlängerungsanteilen des Nanodrahts befinden; Bilden eines Silicides auf freiliegenden Anteilen der Seitenwand-Kontakt-Bereiche; Abscheiden einer abdeckenden Schicht über dem Silicid und freiliegenden Anteilen des Dummy-Gate-Stapels und des Substrats; Entfernen von Anteilen der abdeckenden Schicht, um einen Anteil des Dummy-Gates freizulegen; Entfernen eines Anteils des Dummy-Gates, um den Nanodraht freizulegen; Abscheiden einer dielektrischen Schicht über freiliegenden Anteilen des Nanodrahts; Abscheiden einer leitfähigen Schicht über der dielektrischen Schicht; und Bilden einer abdeckenden Schicht über freiliegenden Anteilen der leitfähigen Schicht.