| 发明名称 | 绝缘栅型直角源场板高电子迁移率器件及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种绝缘栅型直角源场板高电子迁移率器件及其制作方法，主要解决现有场板技术在实现高击穿电压时工艺复杂的问题。其包括：衬底(1)、过渡层(2)、势垒层(3)、绝缘介质层(7)、钝化层(9)和保护层(12)，源极(4)与漏极(5)淀积在势垒层上，台面(6)制作在势垒层的侧面，绝缘栅极(8)淀积在绝缘介质层上，钝化层内刻有凹槽(10)，直角源场板(11)淀积在钝化层与保护层之间，直角源场板(11)靠近绝缘栅极一侧边缘与凹槽靠近绝缘栅极一侧边缘对齐，该直角源场板与源极(4)电气连接，且下端完全填充在凹槽(10)内。本发明具有工艺简单、击穿电压高、可靠性高和成品率高的优点。 | ||
| 申请公布号 | CN104409480A | 申请公布日期 | 2015.03.11 |
| 申请号 | CN201410658088.6 | 申请日期 | 2014.11.18 |
| 申请人 | 西安电子科技大学 | 发明人 | 毛维;郝跃;杨;李洋洋;王冲;郑雪峰;杜鸣;刘红侠;曹艳荣 |
| 分类号 | H01L29/40(2006.01)I;H01L29/778(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/40(2006.01)I |
| 代理机构 | 陕西电子工业专利中心 61205 | 代理人 | 王品华;朱红星 |
| 主权项 | 一种绝缘栅型直角源场板高电子迁移率器件，自下而上包括：衬底(1)、过渡层(2)、势垒层(3)、绝缘介质层(7)、钝化层(9)和保护层(12)，势垒层(3)的上面淀积有源极(4)、漏极(5)，势垒层(3)的侧面刻有台面(6)，台面深度大于势垒层厚度，绝缘介质层(7)上面淀积有绝缘栅极(8)。其特征在于，钝化层(9)内刻有凹槽(10)，钝化层(9)与保护层(12)之间淀积有直角源场板(11)，直角源场板(11)靠近绝缘栅极一侧边缘与凹槽(10)靠近绝缘栅极一侧边缘对齐，该直角源场板与源极(4)电气连接，且下端完全填充在凹槽(10)内。 | ||
| 地址 | 710071 陕西省西安市太白南路2号 | ||