| 发明名称 | 硅腔结构制作方法以及硅腔结构 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种硅腔结构制作方法以及硅腔结构。所述硅腔结构制作方法包括：在衬底上形成多晶硅栅极以及栅极侧墙；在两个多晶硅栅极的栅极侧墙之间形成U型硅腔；对U型硅腔进行表面氧化，形成表面氧化层；去除表面氧化层，以形成扩张的U型硅腔；在扩张的U型硅腔中执行锗硅外延生长，以在扩张的U型硅腔中形成锗硅区域。 | ||
| 申请公布号 | CN104409504A | 申请公布日期 | 2015.03.11 |
| 申请号 | CN201410693331.8 | 申请日期 | 2014.11.26 |
| 申请人 | 上海华力微电子有限公司 | 发明人 | 周海锋 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L27/092(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 王宏婧 |
| 主权项 | 一种硅腔结构制作方法，其特征在于包括： 第一步骤：在衬底上形成多晶硅栅极以及栅极侧墙； 第二步骤：在两个多晶硅栅极的栅极侧墙之间形成U型硅腔； 第三步骤：对U型硅腔进行表面氧化，形成表面氧化层； 第四步骤：去除表面氧化层，以形成扩张的U型硅腔。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江开发区高斯路568号 | ||