发明名称 粉粒产生少的强磁性材料溅射靶
摘要 本发明涉及一种强磁性材料溅射靶,其为在Cr为20摩尔%以下、其余为Co的组成的金属中分散有包含氧化物的非磁性材料粒子的非磁性材料分散型强磁性溅射靶,其特征在于,该靶组织具有在金属基质中分散有包含氧化物的非磁性材料粒子的相(A)、以及所述(A)中成分组成与金属基质不同的金属相(B),所述金属相(B)的最外周起1μm以内氧化物所占的面积率为80%以下,并且所述相(B)的平均粒径为10μm以上且150μm以下。本发明得到可以抑制溅射时产生粉粒,并且提高漏磁通,通过磁控溅射装置可以稳定地放电的强磁性材料溅射靶。
申请公布号 CN103003468B 申请公布日期 2015.03.11
申请号 CN201180035257.5 申请日期 2011.01.28
申请人 吉坤日矿日石金属株式会社 发明人 荻野真一;佐藤敦;中村祐一郎;荒川笃俊
分类号 C23C14/34(2006.01)I;C22C1/04(2006.01)I;C22C19/07(2006.01)I;G11B5/851(2006.01)I;H01F10/16(2006.01)I;H01F41/18(2006.01)I 主分类号 C23C14/34(2006.01)I
代理机构 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 代理人 王海川;穆德骏
主权项 一种非磁性粒子分散型强磁性材料溅射靶,其为在Cr为20摩尔%以下、其余为Co的组成的金属中分散有包含氧化物的非磁性材料粒子的非磁性材料分散型强磁性溅射靶,其特征在于,该靶组织具有在金属基质中分散有包含氧化物的非磁性材料粒子的相A、以及所述相A中成分组成与金属基质不同的金属相B,所述金属相B的最外周起1μm以内氧化物所占的面积率为80%以下,并且所述相B的平均粒径为10μm以上且150μm以下。
地址 日本东京