发明名称 关于在记忆体阵列中低电压资料路径之电路以及其操作方法
摘要
申请公布号 TWI476781 申请公布日期 2015.03.11
申请号 TW097115990 申请日期 2008.04.30
申请人 飞思卡尔半导体公司 发明人 麦席 贝考斯基;哈迈德 盖瑟米;晖B 恩谷颜
分类号 G11C7/10 主分类号 G11C7/10
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项 一种关于在记忆体阵列中低电压资料路径之电路,其包含:一第一感测放大器,其提供一组输出,其中该组输出包括一第一真输出与一第一互补输出;一第一输入,其系耦合至该第一真输出;一第二输入,其系耦合至该第一互补输出;一第一N通道电晶体,其包括一连接至该第一输入之闸极;一第二N通道电晶体,其包括一连接至该第二输入之闸极;一对交叉耦合反相器,其中该对交叉耦合反相器包括:一第一反相器,该第一反相器包括一第一P通道电晶体与一第三N通道电晶体,该第一P通道电晶体之一闸极与该第三N通道电晶体之一闸极系连接至一第一节点,该第一P通道电晶体之一第一电流端子与该第三N通道电晶体之一第一电流端子系连接至一第二节点;一第二反相器,该第二反相器包括一第二P通道电晶体与一第四N通道电晶体,该第二P通道电晶体之一闸极与该第四N通道电晶体之一闸极系连接至该第二节点,该第二P通道电晶体之一第一电流端子与该第四N通道电晶体之一第一电流端子系连接至该第一节 点;一第三P通道电晶体,其包括一连接至该第一输入之闸极;以及一第四P通道电晶体,其包括一连接至该第二输入之闸极;其中该第三P通道电晶体与该第一P通道电晶体系串联堆叠;以及其中该第四P通道电晶体与该第二P通道电晶体系串联堆叠。
地址 美国