| 发明名称 | 半导体发光装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体发光装置及其制造方法。半导体发光装置包括一外延结构，外延结构包括一第一型掺杂层、一发光层，及一第二型掺杂层。外延结构可包括一无掺杂层。一基板以一黏着层连接至外延结构的至少一表面上。至少一个或以上的柱体位于黏着层中。多个柱体视其设置的位置可以具有不同的宽度，以及/或者柱体可以只设置在外延结构的某些部分之下。 | ||
| 申请公布号 | CN102891233B | 申请公布日期 | 2015.03.11 |
| 申请号 | CN201210181065.1 | 申请日期 | 2012.06.04 |
| 申请人 | 华夏光股份有限公司;财团法人成大研究发展基金会 | 发明人 | 洪瑞华;刘恒;卢怡安 |
| 分类号 | H01L33/36(2010.01)I;H01L33/10(2010.01)I;H01L33/22(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/36(2010.01)I |
| 代理机构 | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人 | 梁挥;常大军 |
| 主权项 | 一种半导体发光装置，其特征在于，包括：一外延结构，该外延结构包括一第一型掺杂层、一发光层，及一第二型掺杂层；一基板，该基板以一黏着层连接至该外延结构的至少一表面上；以及至少一柱体位于该黏着层中；至少一接触垫，该接触垫形成于该外延结构的该第一型掺杂层与该第二型掺杂层的其中之一上，其中该至少一柱体只设置于该接触垫之下。 | ||
| 地址 | 大开曼岛阿格兰屋邮政信箱309 | ||