发明名称 | 薄膜电晶体的制备方法 | ||
摘要 | |||
申请公布号 | TWI476837 | 申请公布日期 | 2015.03.11 |
申请号 | TW097122081 | 申请日期 | 2008.06.13 |
申请人 | 鸿海精密工业股份有限公司 | 发明人 | 刘长洪;姜开利;李群庆;范守善 |
分类号 | H01L21/334;H01L29/786 | 主分类号 | H01L21/334 |
代理机构 | 代理人 | ||
主权项 | 一种薄膜电晶体的制备方法,其包括以下步骤:制备一奈米碳管原料;将上述奈米碳管原料添加到溶剂中并进行絮化处理获得一奈米碳管絮状结构;将上述奈米碳管絮状结构从溶剂中分离,并对该奈米碳管絮状结构定型处理获得一奈米碳管薄膜,所述奈米碳管薄膜由复数未经功能化处理之奈米碳管组成;铺设上述奈米碳管薄膜于一绝缘基底表面,形成一奈米碳管层;间隔形成一源极及一汲极,并使该源极及汲极与上述奈米碳管层电连接;形成一绝缘层于上述奈米碳管层表面;以及形成一闸极于上述绝缘层表面,得到一薄膜电晶体。 | ||
地址 | 新北市土城区自由街2号 |